截至1月20日收盤，滬指跌0.01%，報收4113.65點；深成指跌0.97%，報收14155.63點；創(chuàng)業(yè)板指跌1.79%，報收3277.98點?？苿?chuàng)半導體ETF（588170）跌0.42%，半導體設備ETF華夏（562590）跌0.44%。

隔夜外盤方面，截至收盤，道瓊斯工業(yè)平均指數(shù)跌1.76%；納斯達克綜合指數(shù)跌3.54%；標準普爾500種股票指數(shù)跌2.06%。費城半導體指數(shù)跌1.68%，恩智浦半導體跌2.70%，美光科技漲0.62%，ARM漲1.31%，應用材料跌2.68%，微芯科技跌2.05%。

行業(yè)資訊：

1、DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，DRAM供給持續(xù)吃緊，為順應產(chǎn)業(yè)趨勢，今年資本支出將達500億元新臺幣（約合110億元人民幣），同比增幅超過270%，為公司史上最大手筆。支出主要用于擴充新廠產(chǎn)能，預計2028年上半年將開出2萬片新產(chǎn)能。

2、摩根士丹利將歐洲半導體行業(yè)評級從“持股觀望”上調(diào)至“增持”。

3、通富微電發(fā)布2025年度業(yè)績預告，預計歸屬于上市公司股東的凈利潤11億元~13.5億元，比2024年同期增長62.34%~99.24%。2025年內(nèi)，全球半導體行業(yè)呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性增長，公司積極進取，產(chǎn)能利用率提升，營業(yè)收入增幅上升，特別是中高端產(chǎn)品營業(yè)收入明顯增加。同時，得益于加強經(jīng)營管理及成本費用的管控，公司整體效益顯著提升。此外，公司準確把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，圍繞供應鏈及上下游布局產(chǎn)業(yè)投資，取得了較好的投資收益，增厚了公司2025年業(yè)績。

中信建投指出，地緣政治摩擦為國產(chǎn)半導體提供了替代窗口期，華為、寒武紀、海光等新一代算力芯片/機柜性能快速提升，生態(tài)逐步完善。受AI需求爆發(fā)、供給側(cè)收縮等多重因素影響，存儲芯片正處于價格上升期，推動全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)迎來業(yè)績爆發(fā)。存儲產(chǎn)線建設及國產(chǎn)化率提升有望進入加速階段，看好配套半導體設備、封測等國內(nèi)存儲鏈投資機遇。隨著國產(chǎn)替代邏輯加強、存儲產(chǎn)能擴張，新一輪資本開支周期下國產(chǎn)設備/零部件/材料將深度受益。

相關ETF：公開信息顯示， 科創(chuàng)半導體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）跟蹤上證科創(chuàng)板半導體材料設備主題指數(shù)，囊括科創(chuàng)板中 半導體設備（60%）和半導體材料（25%）細分領域的硬科技公司。 半導體設備和材料行業(yè)是重要的國產(chǎn)替代領域，具備國產(chǎn)化率較低、國產(chǎn)替代天花板較高屬性，受益于人工智能革命下的半導體需求，擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術進展。

半導體設備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），指數(shù)中半導體設備（63%）、半導體材料（24%）占比靠前，充分聚焦半導體上游。