今日，存儲板塊強勢上漲，半導體設備ETF（159516）漲超2%，場內(nèi)成交持續(xù)擴大。

消息面，2025年10月全球存儲芯片市場持續(xù)漲價，三星、SK海力士等頭部廠商宣布第四季度DRAM合同價最高上調(diào)30%，NAND閃存合同價上調(diào)5%~10%。

東吳證券表示，一方面AI驅(qū)動需求爆發(fā)，AI服務器對高性能存儲（如HBM、DDR5）需求激增，擠壓傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)能，導致DDR4等產(chǎn)品供應緊張；另一方面DRAM庫存周期從2023年的31周降至2025年10月的8周，原廠削減DDR4產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高利潤的HBM和DDR5。兩大存儲FAB加速新產(chǎn)能擴張，看好設備國產(chǎn)化率提升。

半導體設備ETF（159516）跟蹤中證半導體材料設備主題指數(shù)，聚焦半導體上游設備和材料，感興趣的投資者可以關(guān)注相關(guān)布局機會。

注：指數(shù)/基金短期漲跌幅及歷史表現(xiàn)僅供分析參考，不預示未來表現(xiàn)。市場觀點隨市場環(huán)境變化而變動，不構(gòu)成任何投資建議或承諾。文中提及指數(shù)僅供參考，不構(gòu)成任何投資建議，也不構(gòu)成對基金業(yè)績的預測和保證。如需購買相關(guān)基金產(chǎn)品，請選擇與風險等級相匹配的產(chǎn)品?；鹩酗L險，投資需謹慎。