每經(jīng)記者｜朱成祥    每經(jīng)編輯｜李雨冰    

國(guó)內(nèi)四大晶圓代工廠中，中芯國(guó)際是綜合性晶圓代工廠商，華虹宏力偏向特色工藝。晶合集成以顯示驅(qū)動(dòng)起家，正積極拓展CIS（攝像頭傳感器）業(yè)務(wù)，而排名第四的芯聯(lián)集成（SH688469，股價(jià)7.31元，市值612.77億元），主要收入來(lái)源于功率半導(dǎo)體，特別是車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體。

在AI（人工智能）風(fēng)潮之下，芯聯(lián)集成也把目光投向了AI電源芯片和光互聯(lián)領(lǐng)域。

6月11日晚間，芯聯(lián)集成披露公告，公司擬在紹興市與相關(guān)方合資建設(shè)一條月產(chǎn)能5萬(wàn)片的12英寸數(shù)模混合芯片生產(chǎn)線，該項(xiàng)目計(jì)劃總投資約200億元，其中公司出資30.12億元，持股25.1%。

6月12日開(kāi)盤后，芯聯(lián)集成一度上漲超15%，不過(guò)之后又震蕩回落。

從功率芯片到一站式代工

芯聯(lián)集成表示，公司擬與紹興市杭紹臨空經(jīng)濟(jì)一體化發(fā)展示范區(qū)紹興片區(qū)管理委員會(huì)（以下簡(jiǎn)稱“杭紹臨空”）合作，簽署《關(guān)于芯聯(lián)先進(jìn)集成電路制造（紹興）有限公司之合資框架協(xié)議》，合資經(jīng)營(yíng)芯聯(lián)先進(jìn)集成電路制造（紹興）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“芯聯(lián)先進(jìn)”），作為芯聯(lián)12英寸車規(guī)級(jí)數(shù)模混合芯片制造項(xiàng)目（以下簡(jiǎn)稱“四期項(xiàng)目”）的實(shí)施主體，建設(shè)一條5萬(wàn)片/月的12英寸集成電路車規(guī)級(jí)數(shù)模混合芯片生產(chǎn)線，主要技術(shù)和產(chǎn)品方向?yàn)?0/28納米MCU/DSP（微控制器/數(shù)字信號(hào)處理器）、90/55納米 BCD/DrMOS（前者為模擬IC核心制造工藝，后者為驅(qū)動(dòng)與MOSFET封裝在一起的高效功率模塊）等模擬電路、55納米硅光/激光驅(qū)動(dòng)等芯片。

公告披露，該項(xiàng)目計(jì)劃總投資約200億元，其中資本金120億元，銀行貸款80億元。資本金中，芯聯(lián)集成擬出資30.12億元，杭紹臨空牽頭組建的地方產(chǎn)業(yè)基金以及其他聯(lián)合投資主體擬出資30億元，其他市場(chǎng)化資金擬出資59.88億元。

功率芯片主要分為功率半導(dǎo)體和模擬IC（集成電路）。功率半導(dǎo)體（或稱功率器件）主要由MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管）和IGBT（絕緣柵雙極晶體管）組成，這是芯聯(lián)集成擅長(zhǎng)的領(lǐng)域。

芯聯(lián)集成于2025年年報(bào)中表示，公司是中國(guó)最大的車規(guī)級(jí)IGBT生產(chǎn)基地之一，同時(shí)公司在SiC（碳化硅） MOSFET出貨量上穩(wěn)居亞洲前列，是國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)中率先突破主驅(qū)用SiC MOSFET產(chǎn)品的頭部企業(yè)，2025年公司8英寸碳化硅已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨。

此次擴(kuò)產(chǎn)，拓展模擬IC核心制造工藝BCD平臺(tái)產(chǎn)能。此外，當(dāng)下功率芯片與MCU等控制芯片的集成度越來(lái)越高。

公司在2025年年報(bào)中也提出，在縱向維度上，逐步完成從功率器件、模擬IC、MCU到系統(tǒng)方案的全層級(jí)布局，構(gòu)建起“功率—模擬IC—MCU—系統(tǒng)代工方案”的戰(zhàn)略實(shí)現(xiàn)路徑，全方位滿足客戶由點(diǎn)到面、從單一芯片到整體應(yīng)用的全鏈條代工需求。

以新能源汽車為例，其三電系統(tǒng)中的電控，就由控制系統(tǒng)和功率變換系統(tǒng)組成，控制系統(tǒng)主要便是MCU，而功率變換系統(tǒng)，就主要由功率半導(dǎo)體和模擬IC組成。

四期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，芯聯(lián)集成將由純粹的功率半導(dǎo)體代工龍頭，升級(jí)為系統(tǒng)級(jí)代工廠商，可以提供從功率半導(dǎo)體、模擬IC到MCU的一站式代工服務(wù)。

拓展AI電源、光互聯(lián)業(yè)務(wù)

據(jù)了解，芯聯(lián)集成四期項(xiàng)目主要聚焦五大工藝平臺(tái)。除了MCU和數(shù)模混合芯片平臺(tái)外，還有55納米AI服務(wù)器高頻電源管理芯片制造平臺(tái)、55納米硅光芯片平臺(tái)和面向光引擎的55納米SiGe（硅鍺合金）跨阻放大器和激光驅(qū)動(dòng)芯片平臺(tái)。

其中，55納米AI服務(wù)器高頻電源管理芯片制造平臺(tái)面向AI服務(wù)器電源系統(tǒng)，為CPU/GPU（中央處理器/圖形處理器）提供高功率密度供電方案。公司正進(jìn)一步擴(kuò)產(chǎn)高端電源管理芯片產(chǎn)能，以應(yīng)對(duì)全球AI算力爆發(fā)帶來(lái)的市場(chǎng)需求。

芯聯(lián)集成曾于2025年年報(bào)中表示，AI數(shù)據(jù)中心電源領(lǐng)域，大模型及AI應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)和迭代，使得全球算力需求呈現(xiàn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，數(shù)據(jù)中心建設(shè)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大、服務(wù)器數(shù)量增加、單臺(tái)服務(wù)器機(jī)柜功耗不斷上升。算力的盡頭是電力，AI算力的擴(kuò)張有望持續(xù)推動(dòng)高功率、高效率和高穩(wěn)定性的AI服務(wù)器電源需求增長(zhǎng)。

此外，AI大模型的運(yùn)行需要算力、運(yùn)力和存力的配合。而在運(yùn)力中充當(dāng)重要角色的，正是光模塊，或稱之為光互連。

據(jù)了解，55納米硅光芯片平臺(tái)面向數(shù)據(jù)中心光互連、AI集群通信、高速光模塊三大應(yīng)用。在一期8英寸硅光芯片大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)和三期基地12英寸90納米硅光技術(shù)的基礎(chǔ)上，四期項(xiàng)目會(huì)繼續(xù)建設(shè)和擴(kuò)大55納米硅光芯片產(chǎn)能，深入布局光互聯(lián)技術(shù)。而面向光引擎的55納米SiGe跨阻放大器和激光驅(qū)動(dòng)芯片平臺(tái)，則覆蓋高速光模塊接收端和發(fā)射端的核心電芯片。

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