SK海力士發(fā)布截至2026年3月31日的2026財(cái)年第一季度財(cái)務(wù)報(bào)告。公司2026財(cái)年第一季度營(yíng)業(yè)收入為52.58萬(wàn)億韓元，同比增加198%，預(yù)期為53.6萬(wàn)億韓元；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為37.61萬(wàn)億韓元，同比增加405%，預(yù)期為35.7萬(wàn)億韓元；凈利潤(rùn)為40.35萬(wàn)億韓元，同比增加398%，預(yù)期為30.4萬(wàn)億韓元。從季度業(yè)績(jī)來看，銷售額首次突破50萬(wàn)億韓元大關(guān)，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為37.6萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率達(dá)到72%，創(chuàng)下公司成立以來的最高紀(jì)錄。第一季度DRAM平均銷售價(jià)格較去年第四季度上漲約60%；一季度NAND平均銷售價(jià)格較去年第四季度上漲約70%。

目前，SK海力士正加速擴(kuò)大在韓國(guó)本土的先進(jìn)制造能力，繼龍仁新芯片工廠提前投產(chǎn)后，又在清州投資19萬(wàn)億韓元建設(shè)P&T7先進(jìn)封裝設(shè)施，專注于HBM等AI相關(guān)存儲(chǔ)器的制造，這反映了韓國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)在全球AI產(chǎn)業(yè)鏈中的戰(zhàn)略布局。

隨著AI技術(shù)的快速發(fā)展，HBM作為關(guān)鍵存儲(chǔ)芯片，需求激增，SK海力士與三星電子已形成對(duì)HBM產(chǎn)能的掌控，并在行業(yè)供應(yīng)緊缺、價(jià)格上漲的背景下，罕見地上調(diào)了2026年HBM3E價(jià)格漲幅近20%。這種價(jià)格策略打破了常規(guī)，顯示出存儲(chǔ)供應(yīng)商在AI驅(qū)動(dòng)下的市場(chǎng)強(qiáng)勢(shì)地位。

韓國(guó)存儲(chǔ)芯片企業(yè)的擴(kuò)張不僅帶動(dòng)了國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)，也提升了韓國(guó)在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中的重要性，促使韓國(guó)股市表現(xiàn)優(yōu)于規(guī)模更大的經(jīng)濟(jì)體。臺(tái)積電、三星和SK海力士位居亞洲半導(dǎo)體大廠資本支出規(guī)模前列，預(yù)計(jì)2026年資本支出將同比增長(zhǎng)25%，進(jìn)一步鞏固韓國(guó)在高端存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

投資邏輯上，SK海力士大規(guī)模投資先進(jìn)封裝設(shè)施擴(kuò)產(chǎn)HBM產(chǎn)能，反映AI存儲(chǔ)需求激增下存儲(chǔ)芯片全面進(jìn)入賣方市場(chǎng)，頭部廠商通過掌控HBM產(chǎn)能并罕見上調(diào)價(jià)格近20%展現(xiàn)市場(chǎng)強(qiáng)勢(shì)地位；同時(shí)英偉達(dá)等AI芯片巨頭推動(dòng)3D封裝和混合鍵合技術(shù)升級(jí)，為先進(jìn)封裝設(shè)備創(chuàng)造廣闊空間，而半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化加速趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)企業(yè)有望在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)更有利位置。（聲明：以上信息僅供參考，不構(gòu)成投資建議。市場(chǎng)有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。）