截至2026年3月24日10:12，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏（588170）多空膠著，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）多空膠著。

熱門個股方面，富創(chuàng)精密上漲2.21%，耐科裝備上漲2.14%，盛美上海上漲1.88%，先鋒精科上漲0.95%，滬硅產(chǎn)業(yè)上漲0.92%。

流動性方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏盤中換手3.31%，成交2.69億元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏盤中換手3.3%，成交8179.66萬元。

規(guī)模方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏近3月規(guī)模增長44.47億元，實現(xiàn)顯著增長，新增規(guī)模領(lǐng)先同類；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新規(guī)模達(dá)24.52億元。

資金流入方面，科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏近3天獲得連續(xù)資金凈流入，最高單日獲得1.12億元凈流入，合計”吸金”1.93億元，日均凈流入達(dá)6420.39萬元；半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏最新資金凈流出3893.44萬元。拉長時間看，近10個交易日內(nèi)，合計“吸金”6043.90萬元。

消息面上，Wedbush最新報告指出，在需求激增與供應(yīng)緊張的雙重推動下，部分存儲產(chǎn)品價格有望出現(xiàn)超過100%的漲幅。Wedbush分析師在周一發(fā)布的報告中表示，DRAM與NAND存儲價格正快速上漲，預(yù)計2025年第四季度基礎(chǔ)上，2026年上半年價格漲幅將達(dá)到“三位數(shù)”水平。其中，DRAM價格漲幅有望達(dá)到130%至150%，NAND漲幅也接近這一水平，顯示出存儲市場正進(jìn)入新一輪強勁周期。

申萬宏源認(rèn)為，存儲進(jìn)入超級周期，國產(chǎn)廠商嶄露頭角。AI驅(qū)動的存儲需求橫跨所有領(lǐng)域，2026年服務(wù)器成為存儲占比第一的下游應(yīng)用。年內(nèi)新增產(chǎn)能有限，存儲價格繼續(xù)維持高位。在存儲超級周期中，國產(chǎn)存儲進(jìn)軍第一梯隊，長鑫科技上市有望成為自主可控的里程碑。除大宗存儲外，專用型存儲領(lǐng)域因存儲原廠淡出供應(yīng)帶來產(chǎn)業(yè)重組機會。

相關(guān)ETF：科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF華夏（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）：跟蹤指數(shù)是科創(chuàng)板唯一的半導(dǎo)體設(shè)備主題指數(shù)，其中先進(jìn)封裝含量在全市場中最高（約50%），聚焦于科技創(chuàng)新前沿的硬核設(shè)備公司。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，其中半導(dǎo)體設(shè)備的含量在全市場指數(shù)中最高（約63%），直接受益于全球芯片漲價潮對“賣鏟人”（設(shè)備商）的確定性需求。