2026年3月3日，截至收盤，滬指跌1.43%，報(bào)收4122.68點(diǎn)；深成指跌3.07%，報(bào)收14022.39點(diǎn)；創(chuàng)業(yè)板指跌2.57%，報(bào)收3209.48點(diǎn)?？苿?chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）跌5.33%，半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）跌5.24%。

隔夜外盤：截至收盤，道瓊斯工業(yè)平均指數(shù)跌0.83%；納斯達(dá)克綜合指數(shù)跌0.77%；標(biāo)準(zhǔn)普爾500種股票指數(shù)跌0.94%。費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)跌4.58%，恩智浦半導(dǎo)體跌4.23%，美光科技跌7.99%，ARM跌2.13%，應(yīng)用材料跌5.60%，微芯科技跌3.93%。

行業(yè)資訊：

1.佰維存儲(chǔ)公告稱，預(yù)計(jì)2026年1-2月實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入40億元至45億元，同比增長340%至395%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為15億元至18億元，同比扭虧為盈。2026年存儲(chǔ)行業(yè)迎來高度景氣周期，AI算力與國產(chǎn)替代驅(qū)動(dòng)DRAM/NAND價(jià)格持續(xù)上漲，行業(yè)供不應(yīng)求，公司受益顯著。同時(shí)，為提高公司產(chǎn)品在AI時(shí)代的市場競爭力，公司持續(xù)加大芯片設(shè)計(jì)、解決方案、先進(jìn)封測及測試設(shè)備等領(lǐng)域的投入力度。

2.近半年來，NAND Wafer現(xiàn)貨價(jià)格普遍全面走高，相比去年10月來看，1Tb QLC/TLC價(jià)格累計(jì)漲幅超3倍，單價(jià)逼近$0.2/GB，512Gb TLC更是錄得近5倍的價(jià)格漲幅，單價(jià)已然突破$0.3/GB。同樣的，LPDDR4X資源經(jīng)歷連續(xù)數(shù)月上漲過后，僅資源成本價(jià)格已高達(dá)$1.50/Gb以上。受新采購資源成本持續(xù)攀升影響，本周嵌入式eMMC、LPDDR4X價(jià)格全面上漲。盡管存儲(chǔ)廠商因資源價(jià)格太過昂貴不斷更新和調(diào)高成品價(jià)格，勢必造成相關(guān)應(yīng)用端需求萎縮，但對(duì)于企業(yè)本身而言，維持較為穩(wěn)健的利潤水平也是重中之重。

華泰證券指出，存儲(chǔ)超級(jí)周期仍是2026年半導(dǎo)體行業(yè)主線，但需關(guān)注價(jià)格上行對(duì)下游的壓力。本輪景氣延續(xù)較大程度取決于需求韌性，建議重點(diǎn)跟蹤消費(fèi)電子與數(shù)據(jù)中心需求是否出現(xiàn)超預(yù)期走弱。此外，“兩存”上市的潛在融資亦可能影響存儲(chǔ)中長期產(chǎn)能供給格局。

相關(guān)ETF：科創(chuàng)半導(dǎo)體ETF（588170）及其聯(lián)接基金（A類：024417；C類：024418）：跟蹤指數(shù)是科創(chuàng)板唯一的半導(dǎo)體設(shè)備主題指數(shù)，其中先進(jìn)封裝含量在全市場中最高（約50%），聚焦于科技創(chuàng)新前沿的硬核設(shè)備公司。

半導(dǎo)體設(shè)備ETF華夏（562590）及其聯(lián)接基金（A類：020356；C類：020357），跟蹤中證半導(dǎo)體材料設(shè)備主題指數(shù)，其中半導(dǎo)體設(shè)備的含量在全市場指數(shù)中最高（約63%），直接受益于全球芯片漲價(jià)潮對(duì)“賣鏟人”（設(shè)備商）的確定性需求。