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2026年Q1 NAND閃存價格環(huán)比漲幅超40%,AI算力需求爆發(fā)帶動半導體設備、存儲賽道景氣度上行

每日經濟新聞 2026-02-04 11:18:21

截至2026年2月4日 11點07分,上證科創(chuàng)板半導體材料設備主題指數(shù)下跌0.95%。成分股方面漲跌互現(xiàn),晶升股份領漲3.01%,京儀裝備上漲0.47%,中微公司上漲0.41%;神工股份領跌4.71%,華海誠科下跌3.50%,富創(chuàng)精密下跌2.84%。科創(chuàng)半導體ETF(588170)下跌0.96%,最新報價1.75元。

截至2026年2月4日 11點09分,中證半導體材料設備主題指數(shù)下跌0.90%。成分股方面漲跌互現(xiàn),晶升股份領漲3.03%,京儀裝備上漲0.74%,拓荊科技上漲0.48%;神工股份領跌4.76%,華海誠科下跌3.41%,富創(chuàng)精密下跌3.19%。半導體設備ETF華夏(562590)下跌0.74%,最新報價1.88元。

流動性方面,科創(chuàng)半導體ETF盤中換手3.99%,成交3.21億元;半導體設備ETF華夏盤中換手2.84%,成交7810.62萬元。規(guī)模方面,科創(chuàng)半導體ETF近2周規(guī)模增長5.55億元,實現(xiàn)顯著增長,新增規(guī)模位居同類第一;半導體設備ETF華夏最新規(guī)模達27.57億元。

資金流入方面,科創(chuàng)半導體ETF最新資金凈流出2.27億元。拉長時間看,近5個交易日內有4日資金凈流入,合計“吸金”3.89億元,日均凈流入達7786.37萬元;半導體設備ETF華夏最新資金凈流出1.09億元。拉長時間看,近10個交易日內有7日資金凈流入,合計“吸金”6474.22萬元,日均凈流入達647.42萬元。

消息面上,Counterpoint表示,根據(jù)該機構2026年1月存儲價格追蹤報告,NAND閃存價格預計將在本季度上漲超過40%。NAND閃存價格飆升源于各大原廠為了滿足AI服務器日益增長的NAND需求而削減了消費級產能,此外美光宣布關閉英睿達的決策也加劇了市場的焦慮情緒。近期低端128GB PC SSD的成交價已然上漲了50%。該機構分析師指出,幾大NAND原廠的產能擴張計劃謹慎而緩慢,鎧俠-閃迪的北上Fab 2晶圓廠預計將從今年下半年開始對整體產能產生顯著影響,因此NAND價格在上半年仍將保持強勢。

愛建證券指出,AI算力需求持續(xù)爆發(fā),帶動半導體設備、存儲賽道景氣度上行。ASML 2025年業(yè)績穩(wěn)步增長,EUV光刻機技術壁壘顯著;三星電子、SK海力士受益于存儲芯片供需緊張、價格上漲,并持續(xù)推進高端存儲產品研發(fā)。建議關注國產半導體設備及存儲產業(yè)鏈上市公司的投資機會。

相關ETF:公開信息顯示, 科創(chuàng)半導體ETF(588170)及其聯(lián)接基金(A類:024417;C類:024418)跟蹤上證科創(chuàng)板半導體材料設備主題指數(shù),囊括科創(chuàng)板中 半導體設備(60%)和半導體材料(25%)細分領域的硬科技公司。 半導體設備和材料行業(yè)是重要的國產替代領域,具備國產化率較低、國產替代天花板較高屬性,受益于人工智能革命下的半導體需求,擴張、科技重組并購浪潮、光刻機技術進展。

半導體設備ETF華夏(562590)及其聯(lián)接基金(A類:020356;C類:020357),指數(shù)中半導體設備(63%)、半導體材料(24%)占比靠前,充分聚焦半導體上游。

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