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安孚科技:蘇州易纜微獨(dú)創(chuàng)硅光異質(zhì)集成薄膜鈮酸鋰技術(shù)平臺(tái) 是硅光平臺(tái)演進(jìn)最優(yōu)解

每日經(jīng)濟(jì)新聞 2025-12-24 20:50:20

每經(jīng)AI快訊,12月24日,安孚科技(603031.SH)接受機(jī)構(gòu)調(diào)研透露,公司戰(zhàn)略入股的蘇州易纜微半導(dǎo)體是全球唯一專注于硅光異質(zhì)集成薄膜鈮酸鋰光子芯片的創(chuàng)業(yè)公司,其獨(dú)創(chuàng)的硅光異質(zhì)集成薄膜鈮酸鋰技術(shù)平臺(tái),適用于數(shù)據(jù)中心的高速高密度光電集成芯片和光學(xué)引擎,是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心1.6T/3.2T集成高性能光模塊和光電共封裝CPO的核心技術(shù),具有平滑演進(jìn)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、大幅降低功耗和運(yùn)營(yíng)成本的商業(yè)價(jià)值,已確立了數(shù)據(jù)中心硅光領(lǐng)域單波200Gbps、400Gbps光芯片的全球技術(shù)領(lǐng)先地位。 其在CIOE2025中國(guó)光博會(huì)首發(fā)的單波400Gbps差分調(diào)制芯片,采用完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)8英寸晶圓級(jí)硅光異質(zhì)集成薄膜鈮酸鋰工藝制備,利用成熟CMOS硅光工藝和Die-to-Wafer鍵合工藝,實(shí)現(xiàn)硅光無(wú)源器件性能與薄膜鈮酸鋰電光特性的優(yōu)勢(shì)互補(bǔ),是硅光平臺(tái)演進(jìn)的最優(yōu)解。

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